Yasamstudio.Ru

На 1 год позднее компании «Самсунг» 2-й во всем мире по величине изготовитель памяти вида DRAM организация SK Hynix рассказала о окончании подготовки микросхем DDR4 для изготовления с применением 2-го поколения техпроцесса класса 10 hm. Как и её соперники, организация SK Hynix не приводит четкую цифру технических общепризнанных мерок, при помощи которых она подразумевает производить свежую память. Процесс прячется под кодовым названием «1Ynm» и вполне может быть как 18-нм, так и 17-нм, и 16-нм.

Для нас основное не «шашечки», но «двигаться». Переход от техпроцесса класса 10 hm первой генерации к третьему гарантирует увеличившийся на 20 % выход продукции — кристаллов DRAM DDR4. Не вдаваясь в пространные рассуждения, себестоимость изготовления DDR4 ещё незначительно уменьшится, но модули памяти могут стать незначительно выгоднее. Не на 20 %, а на единицы % — это вполне настоящий план. А произойдёт это в следующем году. Групповые поставки чипов DRAM с применением 2-го поколения 10-нм техпроцесса организация начнёт в I квартале календарного 2019 года.

Первыми в изготовление попадут 8-Гбит чипсеты DDR4-3200. Со слов компании-производителя, это быстрейшая на данный момент память. Употребление памяти, все-таки, за счёт понижения масштаба технических общепризнанных мерок поочередно понижено не менее чем на 15 %. Первыми свежую память обретут изготовители модулей памяти для компьютеров и индивидуальных ПК. Потом третье поколение изготовления 10-нм класса осчастливит иные области использования памяти, например — область мобильных телефонов.

Понижение масштаба технических общепризнанных мерок принудило создателя привнести заметные перемены как в схемотехнику цепей питания и регулирования памятью, так и в конструкцию «помельчавших» транзисторов. Это логично, телеканалы транзисторов делаются меньше, что понижает токовые характеристики этих полупроводниковых устройств.

Для понижения вероятности возникновения погрешностей чтения и для помощи надежной работы памяти техники SK Hynix рекомендовали 4-фазную модель тактового генератора и спроектировали свежие и не менее чувствительные усилители для контрольных цепей памяти. Фактически, эти усовершенствования позволили поднять скорость по одному контакту до 3200 Mbit/с с одновременным понижением употребления до 15 % и не менее.